PerkinElmer Spectrum 3™ FT-IR 自动分析系统测量 硅晶圆中的元素杂质
FT-IR 自动分析系统半导体行业的应用，测量硅晶圆中的元素杂质
Spectrum 3测定硅晶圆中的碳和氧杂质水平，避免杂质水平过高，导致电活性缺陷和产品故障/报废。根据全球标准方法，红外光谱提供了快速和简易的测量方法，用于测定这些杂质水平
随着半导体需求的增加，特别是消费电子产品、汽车以及日益增长的太阳能发电行业中硅器件的使用，硅晶圆的产量预计在未来几年将出现高速增长。
硅晶圆的生产目前采用了多种工艺，最常见的两种是 Float Zone（FZ）和 Czochralski （CZ）工艺。FZ 工艺可以生产高纯度硅晶圆，而 CZ 工艺生产的晶圆相对来说含有更多的元素杂质（特别是碳和氧）。然而，与 FZ 工艺相比，CZ 工艺具有一些重要优势，如更好的热应力特性、制造速度更快、成本更低等。此外，氧杂质的存在有一个好处，可起到吸气剂的作用，可以去除微量金属杂质。因此，在硅晶圆制造行业中，CZ 工艺的使用范围最广。
我们需要测定硅晶圆中的碳和氧杂质水平，避免杂质水平过高，导致电活性缺陷和产品故障/报废。根据全球标准方法，红外光谱提供了快速和简易的测量方法，用于测定这些杂质水平
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