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使用NexION 5000 ICP-MS分析高纯硫酸中的超痕量元素
随着半导体技术的持续进步,市场对高度集成的微型芯片的需求不断增长,对加工化学品的清洁度提出了更严苛的要求。半导体制造商正在努力进一步降低检测限,以满足超痕量杂质分析的需求
2026-04-22
紫外-可见-近红外分光光度计测量粉末状 TiO2 带隙
在半导体和纳米材料行业测量带隙是非常重要的。绝缘体的带隙大(>4 eV),导体的带隙小(<3 eV)。某一半导体的带隙特性可以通过不同的半导体合金得到控制,如 GaAlAs, InGaAs 和InAlAs。
2026-04-22
PerkinElmer Spectrum 3™ FT-IR 自动分析系统测量 硅晶圆中的元素杂质
Spectrum 3测定硅晶圆中的碳和氧杂质水平,避免杂质水平过高,导致电活性缺陷和产品故障/报废。根据全球标准方法,红外光谱提供了快速和简易的测量方法,用于测定这些杂质水平
2026-04-20
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